Globalfoundries 12lp + 7nm tsmcとの戦いを約束

GlobalFoundries （GF）は火曜日、 12LP +と呼ばれる12 Leading Performance （12LP）プラットフォームへの新たな追加が可能になったことを発表しました。 同社は、パフォーマンスが著しく向上し、電力と面積が減少すると主張しています。 また、低電圧SRAMビットセルも含まれています。

GlobalFoundriesが新しい12LP +プロセスのニュースを発表

GlobalFoundries（GF）は、7nmのパワーとパフォーマンスの利点の多くを約束しますが、12LPプラットフォームの低コストを実現します。 また、この新しいノードにより、トランジスタ密度が15％増加します。

GFは、12LP + FinFETプロセスは12LPベースのプラットフォームと比べてパフォーマンスが20％向上するか、電力が40％減少すると述べています （これにより、16 / 14nmノードと論理領域のスケールで15％の改善）。 これは、TSMCが7nmプロセスを16nmプロセスと比較したときに主張したのと同じ量の改善です。

GFは声明の中で、新しいプロセスを7nmプロセスと比較し、その低コストについても言及しました。 7 nmですが、NRE（非繰り返しエンジニアリング）コストは平均で半分になり、大幅な節約になり ます。 」

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もう1つの新しい機能は0.5V SRAMセルで、GFは高速、低電力であり、人工知能（AI）アプリケーションのようにメモリとプロセッサ間でデータを交換するのに役立つと主張しています。 AIアプリケーションの場合、GFは設計参照パッケージと設計技術共同開発サービス（DTCO）を提供します。 高帯域幅メモリ（HBM）を容易にするための2.5Dパッケージ用の新しいインターポンダもあります。 最後に、同社はまた、ARMがAIアプリケーション用にArtisanフィジカルIPとPOP IPの両方を開発し、12LPでも利用可能になると述べた。

GlobalFoundriesはクラウドコンピューティング用のAIとチップを対象としており、すでに複数のクライアントを抱えていると述べています。 量産は2021年に始まる予定です。

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