IntelはCMOSを超えて見え、MESOはデバイスの未来への道を開きます
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チップアーキテクチャの物理的制限はますます近づいており、メーカーはこれらの制限を克服する新しい方法を開発することがより重要になっています。 量子コンピューティングはその目標に向けた1つのステップであり、インテルはMESOテクノロジーの次のステップを踏み出したいと考えています。
MESOテクノロジーはCMOSの制限を克服します
Intel、カリフォルニア大学バークレー校、およびローレンスバークレー国立研究所 （LBNL）の研究者たちは 、 「スケーラブルでエネルギー効率の高い磁気電気スピン軌道（MESO）ロジック」と題するNatureの記事を発表しました。 その中で科学者たちは、 MESOベースのデバイスが、相補型金属酸化膜半導体（CMOS ）テクノロジーと比較して電圧を400％削減し 、エネルギー効率を高める可能性があることを説明しています。超低スリープ状態の電力と組み合わせると10〜30回。
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現在、 インテルはまだCMOSスケーリングに取り組んでいますが、研究者はMESOロジックがポストCMOS時代の成長を牽引していることを確認しています。 彼らは彼らの技術が次の10年で現れることを望んでいます。 Intelはすでに、UC BerkeleyとLBNLでRamamoorthy Rameshが開発した磁電材料を使用して、MESOデバイスの実験的なプロトタイプを開発しています。 この技術は、室温で量子材料を使用して、回転軌道変換効果を生み出します。
MESOは、室温で量子材料を使用して構築されたデバイスです 。これは何が可能かの一例であり、うまくいけば、産業界、学界、国立研究所のイノベーションを誘発します。 新しいタイプのコンピューティングデバイスとアーキテクチャを実現するために、多くの重要な材料と技術がまだ開発されていません。
実験的なプロトタイプは有望な結果を示していますが、技術はその初期段階にあります。 さらに多くの研究が必要であり、実用的なデバイスはまだ長い道のりであり、少なくとも10年です。
