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東芝のqlcメモリはtlcと同等の耐久性を持っています

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Anonim

東芝はその最高の瞬間を経験していませんが、それはまだ技術の世界で最も重要な企業の1つです。 日本の巨人は、世界最大のNANDメモリメーカーの1つであり、最近、 QLCとして知られる新しいクアッドレベルNANDメモリテクノロジーを発表しました。

東芝、QLCに対する業界の期待を改善

東芝のQLCメモリ投資される1ユーロあたりのストレージ密度の向上により、将来のデバイスの価格/ストレージ比率下げるのに役立ちます。 ただし、 セルの数が増えるたびに、パフォーマンスと耐久性に関してユーザーの間で懸念が生じます 。 これは、セルあたりの状態数が多いほど、適用される電圧ステップが増えるためです。SLCメモリの場合は2つの電圧ステップがあり、MLCメモリでは4つの電圧ステップがあります。TLCには8つのステップがあります。電圧とQLCには16の電圧ステップがあります。

TLCとMLCメモリを搭載したSSDドライブ

電圧ステップの数が多いほど、最も一般的なエラーが発生する傾向があり、セルの寿命は状態間の大きな変動によって損なわれます。これは、問題を回避するために、より強力な補正技術を使用する必要があることを意味します。

東芝によると、その新しいQLCメモリは、現在のTLCメモリでサポートされている消去サイクルに非常に近い1, 000消去サイクルをサポートできます 。 これにより、 東芝は業界がQLCメモリ期待した100〜150回の消去サイクルを大幅に増やすことができました。これは、日本人が多大な努力を払ったことを示す成果です。

東芝はすでにパートナーに新しいQLCメモリの最初のサンプルを送り始めているので、それを実装する新しいデバイスでできるだけ早く作業を開始できます。 量産は2018年後半または2019年初めに開始される予定です。

出典:techpowerup

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