サムスンは10nm ddr4メモリの量産を確認

サムスンは、8 Gibagitの密度と、エネルギー効率とパフォーマンスの新しいレベルを提供する高度な第2世代の10 nm FinFETプロセスを備えたDDR4 DRAMメモリの量産の開始を確認しました。

サムスンが第2世代の10 nm DDR4メモリについて語る

サムスンの新しい10nmおよび8Gb DDR4メモリは、前の10n世代より30％高い生産性を提供し、さらに、 パフォーマンスが10％向上し 、 エネルギー効率が15％向上しています。高度な特許取得済み回路設計技術を使用しています。

新しいデータ検出システムにより、各セルに保存されているデータをより正確に特定できるようになり、回路の統合と製造の生産性が大幅に向上します。 この第2世代の10 nmメモリは、 ビット線の周囲にエアスペーサーを使用して浮遊容量を減らします 。これにより、より高いレベルのスケーリングだけでなく、高速セル動作も容易になります。

「DRAM回路の設計とプロセスにおける革新的な技術を開発することにより、DRAMのスケーラビリティに対する大きな障壁となっていたものを克服しました。 第二世代の10nmクラスDRAMは、10nm DRAM全体の生産をより積極的に拡大し、強い市場需要に対応し、引き続き商業競争力を強化します。」

「これらの成果を実現するために、EUVプロセスを使用せずに新しいテクノロジーを適用しました。 ここでの革新には、高感度の細胞データ検出システムと進歩的な「エアスペーサー」方式の使用が含まれます。

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