サムスン、その思い出の量産を開始v

Samsungの新しい64層V-NANDメモリ

サムスンはすでに1月に新しい64レイヤーの 256Gb V-NANDチップの製造を開始して以来、スマートフォン、SSD、UFSメモリなどの大容量ストレージを備えた新世代のデバイスのユーザーへの提供に取り組んでいます。統合された。新しいステップでは、この新しいメモリ技術の量産を開始し 、年末まで月産の50％をカバーします。

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サムスンの新しい64層V-NANDメモリの転送速度は1 Gbpsであり、市場で最も高速に利用できます。その最も優れた機能は、わずか500マイクロ秒のページプログラミング時間を継続します。これは、この点でも市場で最速であり、会社の以前の48層メモリより1.5倍高速です。これらのパフォーマンスの数値は、以前の48層メモリと比較して30％の生産性向上を意味します 。

エネルギー効率を継続します。つまり、新しいチップに必要な入力電圧は2.5Vで、以前の48層メモリよりも30％少ないため、エネルギー効率が向上し、モバイルデバイスのバッテリー消費量が増えます。統合は少なくなります。 新しいメモリチップの信頼性も20％向上しました 。これらの改善はすべて、韓国の会社で使用されている高度なV-NAND製造プロセスに対するいくつかの変更によって可能になりました。

これはすべて、最高の設計を実現するためのV-NANDメモリの構造における15年の研究と500以上の特許の結果です。サムスンはメモリ技術の改善を続けるための基礎を築きました。次のステップは、容量が1 Tbの90層チップです。

ソース：サムスン