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サムスンはすでに8GBから2.4GbpsのHBM2メモリを製造しています
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サムスンは、HBMとしてよく知られている高帯域幅のスタックメモリテクノロジーに大きな一歩を踏み出しました。 韓国の企業はすでに、2.4 Gbpsの速度で8 GBの容量を持つ第2世代HBM2メモリスタックの量産を開始しています。
サムスンが第2世代HBM2の生産を開始
サムスンは、すでに第2世代のHBM2メモリチップの大量生産を開始していると報告しています 。次世代のGPUベースのスーパーコンピューティング。
Stratix 10MX FPGAは、HBM2メモリを搭載したインテル初のHPCプロセッサです。
この新しい第2世代のHBM2メモリは1.2Vの電圧で動作するため、同じ電圧を使用した第1世代のHBM2に比べてエネルギー効率が向上し ますが、レートは1.6 Gbpsにしか達しませんでした。 このおかげで、この新しいメモリの単一のスタックは、307 GB /秒の帯域幅を実現します。これは、市場に出ているほとんどすべてのグラフィックスカードで近年使用されているGDDR5メモリのほぼ10倍です。
これを可能にするために、 TSV（Through Silicon Via）テクノロジーを使用して、 ダイあたり5, 000を超える接続が行われました。
このようにして、Samsungは最大1.2 TB / sのメモリ帯域幅を備えた新世代のグラフィックスカードを可能にし、その機能を大幅に向上させます。 今のところ、ゲームカードはこの新しいテクノロジーを利用することは期待されていません。GDDR6が待っているからです。
