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フラッシュナンドの供給は2018年に改善される
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業界筋を引用しているDigiTimesは、 NANDフラッシュメモリの供給は2018年の初めから改善するはずであると報告しています。
フラッシュNANDメモリの生産は2018年第1四半期に改善する
2017年はNANDおよびDDRフラッシュメモリメーカーにとって良い年ではなかったため 、これは驚くべきことではないでしょう。需要を完全に満たすことができず、モジュールの価格が上昇したためです。
それでも、生産能力のこれらの暫定的な増加は、PPV（平均販売価格）の低下に伴い、 2018年の第1四半期中にメモリ価格の圧縮を解放し始めるはずです。
NANDフラッシュの生産減少の主な原因の1つは、 2D-NANDと3D-NANDの間の移行によるものと言われています。 これにより、プロダクションが両方のタイプのメモリに分割され、従来の2D-NAND（現在最も使用されている）のすべての要求を満たすことができませんでした。
生産と供給の増加は、生産プラントの拡大によるだけでなく、3D NAND製造技術のパフォーマンスの向上も報告されており、可能な限り最善の方法で可用性を向上させるはずです。メーカー向け。
2018年の初めに生産は改善しましたが、アナリストは 、あらゆる種類のメモリに対する需要の増加により、リーン生産の問題が第2四半期中に戻ると予想しています 。
