Sk hynixは、1ynmで作成された新しい8GBランddr4メモリを発表します

巨大メモリSK Hynixは、 8Gb 1Ynm DDR4 DRAMメモリの開発を発表しました。これは、 14nmおよび16nmリソグラフィを使用して製造できることを意味します。 新しいチップは、前世代の1Xnmに比べて生産性が20％向上し、消費電力も15％以上向上しています。

新しいSK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

新しいSK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAMは、 最大3, 200 Mbpsのデータ転送速度をサポートします。これは、DDR4インターフェイスでのデータ処理速度が最も速いと同社は述べています。 SK Hynixは、クロック信号を複製してデータ転送の速度と安定性を向上させる「4フェーズタイミング」方式を採用しています。

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SKハイニックスはまた、 消費電力とデータエラーを削減するために自社開発の「 センスアンプコントロール 」技術を導入しました。 このテクノロジーにより、同社は感覚アンプのパフォーマンスを向上させることができました。 SK Hynixは、トランジスタの構造を改善して、データのエラーの可能性を減らしました 。 これは、技術の低下に伴う課題です 。 同社はまた、回路に低電力電源を追加して、不要なエネルギー消費を回避しました。

この1Gnおよび8Gb DDR4 DRAMは、SKハイニックスのショーンキム副社長によると、同社の顧客にとって最適なパフォーマンスと密度を備えています 。 SK Hynixは来年の第1四半期から出荷を開始し、市場の需要に積極的に対応する予定です。 SK Hynixは、サーバーとPC、さらにはモバイルデバイスなどの他のアプリケーションに1Ynmテクノロジプロセスを提供する予定です。

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