Sk hynixが1znm 16gb（ギガビット）ddr4メモリを開発

SK hynixは、新しい1Znm 16Gb （ギガビット）DDR4メモリを開発したと発表しました。 1Znmは、既存のDDR4 DRAMモジュールで利用可能な業界最高の密度とウェーハあたりの総容量を提供します。

SK hynixが1Znm 16Gb DDR4メモリ（ギガビット）を開発

同社によると、新しい1Znmメモリモジュールの生産性は、前世代の1Ynmラインと比べて約27％向上しているとのことです。 ただし、製造プロセスでは高価な極端紫外線リチウム（EUV）を必要としないため、1Znmの生産はこれまで以上に収益性が高くなっています。

SK hynix 1Znmメモリは、最大3200Mbpsのデータ転送速度をサポートします。これは、DDR4インターフェイスの最速のデータ処理速度です。 新しい1Znmメモリモジュールはエネルギー効率が向上しているため、以前の1YNnm 8Gb DRAMと同じ密度のモジュールと比較して、 消費電力を約40％削減することに成功しています。

製造プロセスでは、前世代では使用されなかった新しい物質が適用され、1Znm製品の静電容量を最大化します。 静電容量とは、DRAMの動作において重要な要素である、コンデンサが蓄積できる電荷の量です。 運用の安定性を高めるために、プロセスに新しい設計も導入されました。

市場で最高のRAMメモリに関するガイドをご覧ください

SK hynixは、 1Znmテクノロジープロセスを、将来最速のDRAMとなる次世代のポータブルLPDDR5 DRAMやHBM3などのさまざまなアプリケーションに拡張する計画を持っています。

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