東芝、XLメモリーズを来年発表する

日本の多国籍企業は前回の フラッシュメモリサミットで 新しい XL-FLASH ストレージソリューションに関するデータを発表しました。 NAND と DRAMメモリの 違いをさらに曖昧にする 東芝の 戦略と新技術を詳しく見ていき ます 。

2020年 初頭の東芝 XL-FLASH ストレージソリューション

これらのストレージソリューションは、Samsungの Z-NANDメモリ と Intelの 3D XPoint に対する 東芝の 直接的な対応です。 それらは SLC タイプ （スペイン語のシングルレベルセル） であることで際立っています。つまり、 セルごとに1ビットしか格納されないため、多少小さくなりますが、 信頼性が高く、レイテンシが低くなります。

この構造で作成される最小のメモリは 128 GBで 、16プレーンに分割されます。 これにより、特に他の 3D NAND ベースのメモリと比較して、並列処理の能力が大幅に向上します。 見返りとして、各ページの サイズ はわずか 4 kBになり 、直接の競合に比べてかなり少ない数になります。

一方、この低下を補うために、読み取りレイテンシは 5µs 未満であることが明らかになってい ます 。 50µs の 3D TLC で 全体 を見ると、これは大きな改善です。

もう1つ注意すべき点は、これらのモデルはどの サードパーティ企業で も利用できるということです。 Samsung 専用のZ- SSD メモリとは異なり、 東芝の テクノロジーを搭載した異なるブランドの名前でいくつかのメモリが表示されます。

一部の企業はすでにそれについて話しており、独自のモデルの公開に非常に関心があります。 これはメモリ市場を揺るがす可能性が高く、ご存知のように、 ユーザーにとって競争は多いほど良いでしょう。

これらのストレージソリューションの組み立ては来月に開始され、最初に予測したように、 来年にはそれらのリリースが見られます。

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