東芝はそのxl技術でoptaneに立ち向かいます

東芝はフラッシュメモリサミットで 、新たなOptaneおよび3D XPointメモリテクノロジーと競合できる低レイテンシ3D NANDメモリの作成に重点を置いた3D XL-Flashテクノロジーの開発を発表しました 。 東芝は、低レイテンシNANDメモリへの新しいアプローチは、レイテンシ値を現在のコンシューマNAND TLC価格のわずか1/10に減らすことができると言います。

XL-Flashテクノロジーは、3D-NANDメモリのレイテンシを改善することを約束

XL-Flashを備えた最新のNANDアーキテクチャは、 サムスンがZ-NANDテクノロジーで行っていることと同等であり、Optaneと比較して生産コストを下げることができます。 東芝はBiCSフラッシュテクノロジーを使用しますが、XL-Flashは、パフォーマンスを向上させるために、少なくとも最初はSLC展開に展開されます（7マイクロ秒の応答時間と30マイクロ秒のQLC）。 もちろん、これはストレージ密度を減らしますが、目標は、低価格でOptaneのようなパフォーマンスと同等またはそれ以上の密度を提供することであることを思い出してください。

ビット線とワード線の短縮、セル間の内部接続、セル間のパスの短縮など、 東芝がパフォーマンスを向上させるために取った措置は、 レイテンシが低くなり、パフォーマンスが向上することです。 さらに、データリクエストに同時に応答できる独立した領域であるフラッシュプレーンを追加することで、並列処理とパフォーマンスが向上しています。

XL-Flashは 、 高密度QLCドライブのキャッシュメモリとして、またIntelのOptaneメモリが提供するものを逆転させようとするスタンドアロン製品として使用される予定です。

東芝はXL-Flashイニシアチブに意欲的であり、世界最大のメモリメーカーの1つである必要があります。

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