東芝、64層3DフラッシュメモリUFSデバイスを発表
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東芝の新しいUFSデバイスは、高度な64層 BiCS FLASH 3Dフラッシュメモリに基づいており、 32 GB、64 GB、 128 GB、 256 GBの 4つの容量で利用できます。
BiCS FLASH 64層3Dフラッシュメモリを使用
メモリソリューションの世界的リーダーであるToshiba Memory Americaは、高度な64層 BiCS FLASH 3Dフラッシュメモリを使用してUFSユニバーサルフラッシュストレージデバイスのテストを開始しました。
4つのデバイスはすべて、 HS-GEAR3を含むJEDEC UFS Ver。2.1と互換性があります。HS-GEAR3は、理論上のインターフェース速度がトラックあたり最大5.8 Gbps （x2トラック= 11.6 Gbps）で、消費電力に影響を与えません。 64GBデバイスの順次読み取りおよび書き込みパフォーマンスは、それぞれ900MB /秒および180MB /秒です。
ランダムな読み取りと書き込みのパフォーマンスに関しては、メーカーの前世代のデバイスよりも約200〜185パーセント 優れています。 UFSはシリアルインターフェイスを備えているため、全二重印刷をサポートしており、ホストプロセッサとUFSデバイス間で同時に読み取りと書き込みを行うことができます。
東芝は3Dフラッシュメモリテクノロジーを発表した世界で最初の企業であり 、3DベースのUFSの追加により、同社はイノベーションの最前線にとどまりながら、既存のBiCS FLASHソリューションの範囲を強化しています。
「業界をリードするBiCS FLASHテクノロジーをUFSに導入することで、統合ストレージソリューションの機能を拡張し続けます」 とTMAが管理するフラッシュメモリ製品の責任者であるスコットビークマンは述べています。
