東芝はすでに5ビット/セル（PLC）フラッシュSSDテクノロジーを開発
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東芝は、将来のBiCS Flash世代の計画をすでに開始しています 。 新しい世代はそれぞれ、PCIe 4.0に合わせて間もなくリリースされるBiCS 5以降の新しい世代のPCIe標準と一致しますが、同社は特定のタイムラインを提供していません。 BiCS5は1, 200MT /秒のより高い帯域幅を持ち、BiCS6は1, 600MT /秒に達し、BiCS7は2, 000MT /秒に達すると予想されます。
東芝はすでに5ビット/セル（PLC）フラッシュSSDテクノロジーを開発
同社はまた、ペンタレベルセル（PLC）NANDフラッシュテクノロジーの研究を開始し 、現在のNAND QLCを変更することにより、 セルあたり5ビットのNANDテクノロジーのパフォーマンスを検証しました 。 新しいフラッシュは、現在のQLCに存在する4つだけではなく、セルごとに5ビットを格納する機能により、より高い密度を提供します。 ただし、これを行うには、セルが32の異なる電圧レベルを保存できる必要があり、SSDドライバーはそれらを正確に読み取る必要があります。 メトリックレベルで読み書きする電圧レベルが非常に多いため、新しいテクノロジーは大きな課題です。 より厳しいしきい値を制御するために、同社はパフォーマンスを向上させるために、現在のTLCおよびQLCに適応できるいくつかの追加プロセスを開発する必要がありました。
QLCはすでに非常に遅く、他のタイプのフラッシュよりも耐性が低くなっています。 PLCの抵抗はさらに低くなり、パフォーマンスは低下します。 ただし、 ゾーン化名前空間 （ZNS）などの新しいNVMeプロトコル機能は、いくつかの問題を軽減するのに役立ちます。 ZNS自体は、書き込みの増幅を減らし、メディアのオーバープロビジョニングの必要性を減らし、内部コントローラーDRAMの使用を減らし、もちろんパフォーマンスと遅延を改善することを目的としています。
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同社は、次世代のBiCS FLASHのマトリックスの密度をあらゆる形式で向上させる新しいプロセスを開発しました。 基本的に、メモリセルを半分に分割して拡張し、通常の3Dフラッシュプロセスを維持します。 東芝は、このアプローチが現時点で完全に実現可能であるかどうか確信が持てません。
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