Western Digitalがoptaneと競合するフラッシュメモリを開発
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Western Digitalは、独自の「低レイテンシ」フラッシュメモリに取り組んでおり、最終的にIntel Optaneと競合するように設計された従来の3D NANDと比較して、より高いパフォーマンスと耐久性を提供します。
LLFテクノロジーを搭載したWestern Digitalの新しいメモリは、Z-NANDおよびOptaneと競合します
今週の 'Storage Field Day'イベントで 、Western Digitalは現在開発中の新しい低レイテンシメモリについて説明しました。 このテクノロジーは 、IntelのOptaneやSamsungのZ-NANDと同様に、 3D NANDと従来のDRAMの間のどこかに収まるように設計されています。 Western Digitalによれば、LLFメモリのアクセス時間は「マイクロ秒範囲」であり、セルあたり1ビット、セルあたり2ビットのアーキテクチャを使用しています。
メーカーは、新しいLLFメモリのコストがDRAMの10分の1であることを認めていますが、3D NANDメモリの20倍 （少なくとも現在の見積もりによると）、GBあたりの価格の点で高いため、 OptaneとZ-NANDがすでに提供しているものと同様に、ハイエンドのデータセンターまたはワークステーションを対象としたアプリケーションを選択します。
Western Digitalは 、低レイテンシフラッシュメモリに関する詳細をすべて開示しているわけではなく、昨年発表された東芝の低レイテンシ3D XL-Flash NANDと関係があるとは言いがたい。 当然のことながら、同社はLLFメモリーに基づいた実際の製品について、またはいつ入手可能になるかについて話すことにも消極的です。 上記のコストが原因で、これらの新しい記憶が短期間に一般ユーザーに届くとは想像しがたいです。
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