サムスン、第2世代の10 nm finfet 10 lppの量産を開始

サムスンは本日、 第2世代の10 nm FinFET 10LPP製造プロセスに基づくチップの大量生産の開始を発表し、それによって新しいレベルのパフォーマンスとエネルギー効率を達成しました。

Samsungはすでに10 nm FinFET 10LPPを準備しています

この新しい製造プロセスは、 10 nm FinFET 10LPP （ローパワープラス）と名付けられ、同時に10 nm FinFETの最初のバージョンと比較して15％のエネルギー消費の削減を提供することを特徴としています。 パフォーマンスが10％向上するため、大幅に改善されます。 これにより、 自律性が向上し、あらゆる種類のタスクに対してより強力な新しいモバイルデバイスが実現します 。

AMDは、RyzenおよびVegaの第2世代に12nm LP FinFETプロセスを使用します

10nm FinFET 10LPPでこのプロセスを使用して製造された最初のSoCは2018年の初めに到着しますが、すべての世代で通常発生するように、それらの可用性は最初はかなり制限されます。

サムスンエレクトロニクスのファウンドリーマーケティング担当バイスプレジデント、ライアンリーは、次のように述べています。 「10nmプロセス戦略における長年の経験を持つサムスンは、10nmから8LPPへとテクノロジーを進化させ続け、幅広いアプリケーションに対して明確な競争上の優位性を顧客に提供します。」

サムスンはまた、韓国の新しいS3生産ラインが10nmチップと 、後者の工場で量産されるEUVテクノロジーを搭載した7nm FinFETのような将来のリトグラフの生産を開始する準備ができていることを発表しました。

Techpowerupフォント