サムスン、第2世代の10 nmドラムの量産を開始
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Samsungが世界で最も優れたDRAMおよびNANDメモリメーカーの1つであることは間違いありません。現在、韓国は第2世代のDRAMを10 nmで量産することにより、新たな一歩を踏み出しました 。
サムスンはすでに第2世代の10nm世代でDRAMを量産している
SamsungのGyoyoung Jin社長は、10nmプロセスの第2世代を使用した新しいDRAMメモリチップの量産をすでに開始していると発表しました 。 この新技術により 、10 nmでの以前の製造プロセスと比較して生産性が30％向上します。同時に、エネルギー効率が15％向上する一方で、パフォーマンスは10％向上します。
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これらの改善を達成するために、EUVテクノロジーは使用されていませんが、 Samsung独自の設計技術が適用されています 。 同社は、「 エアスペーサー 」を使用して寄生容量を低減し、メモリセルのパフォーマンスを向上させるために必要なエネルギーの過剰な使用を削減したと主張しています。
サムスンの新しい第2世代10 nm DRAMは3, 600 Mbpsで動作し 、現在のメモリが提供する3, 200 Mbpsを大幅に改善します。 サムスンの次世代DDR4メモリは、極端なICプーリングプロセスの少ない高速メモリキットの製造を可能にし、高速DDR4メモリの価格を引き下げる可能性があります。
この新しい手法はDDR4に限定されるものではなく、HBM3、DDR5、GDDR6、LPDDR5などの将来のDRAMメモリ規格でも使用されます 。 サムスンは、これらの新しいタイプのメモリをできるだけ早く市場に投入するために懸命に取り組んでおり、この分野でのリーダーシップを再び強化しています。
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